本发现专利品触及一种。详细地,本发现专利品想要了一种SO的预备工作办法。,包含步调:(1)想要硅片;(2)在硅片在表面工作表格单独消极的隧道层。,去活化隧道化层和硅片复合基板;(3)特高频率浆加速器气相免职(VHF-PECVD),去活化后硅源气和掺杂原子源气的免职,掺杂硅薄膜层的表格,掺杂硅薄膜;(4)使用掺杂硅薄膜预备工作太阳能电池。本发现专利品采取的特高频率等水合氢体加速器气相免职法(VHF‑PECVD)能在较低的发烧下,离低温退火,预备工作高无效的掺杂浓度,导电率高,Topcon太阳能电池用掺杂硅薄膜。

【技术工具步调总结】
隧道氧去活化尝水晶硅太阳电池的预备工作
专利品触及太阳能电池
,详细地,本专利品触及隧道氧去活化尝水晶硅太阳电池的预备工作。
技术绍介
隧穿氧去活化尝(TOPCon)太阳电池是2013年来由德国弗兰霍夫细想工作实验室介绍的一种时新硅太阳电池。涂层为厚度没有2毫微米的超薄急切的硅层。,交叠地层掺杂多晶体硅或非晶硅,后来地高掺杂多晶体硅(n )后备尝由高掺杂多晶体硅(n )表格。。电池的根本布置如图1所示。。电池的后备布置移交为n型硅片/超薄隧穿急切的层/n+多晶体硅层/金属电极层(图1所示)或许p型硅片/超薄隧穿急切的层/p+多晶体硅层/金属电极层。以N型电池为例,解说背布置的预备办法:率先,在后备上坡隧道急切的层。,其次,在非晶态或多晶体硅掺杂层上,不可更改的,一种高掺杂高掺杂原子多晶体硅层。归结来说,眼前,Topcon-BA中急切的硅的预备工作办法有四种。:王水急切的法、臭氧水急切的技术、热急切的和紫外线臭氧。用这四种办法预备工作急切的硅后,需求随后的低温退火,决意是增进急切的硅的优质的。、缩减交谈环境。归结来说,重掺杂非多晶体硅的预备工作办法有四种:(1)采取无线电频率等水合氢体加速器两人间的关系气相免职法(RF-PECVD)预备工作地层掺杂的非晶硅层,后来地举行低温退火,对重掺杂的POL举行轮流。。(2)下陷处两人间的关系气相免职法预备工作掺杂多晶体硅层,后来地经过低温处置促进增进了无效掺杂浓度。。(3)经过以下办法免职本征非晶或多晶体硅薄膜:,后来地,掺杂原子经过低温DI到处扔到硅薄膜中。。(4)采取RF-PECVD或LPCVD法免职地层本征的非晶或多晶体硅薄膜层,后来地经过水合氢入轨将掺杂原子入轨硅薄膜中。,低温退火表格的重掺杂硅薄膜。前述的硅的预备工作有单独协同的指路,在初始效能填塞以后的需求举行低温退火。,眼前首要有两种:缩减交谈环境密度、增进硅薄膜的掺杂浓度。无论如何,这种办法的尖锐的成绩:习俗办法预备工作急切的层的间期优质的特色,有很多间期缺陷,需求经过较长时间的的低温退火处置(800-1100℃,30-60min)来节食。硅薄膜,鉴于需求举起掺杂的无效活化浓度、增进多晶体硅薄膜的水晶优质的,通常需求低温退火(典型的退火发烧。鉴于持续在的细想蠲,在前述的低温处置转换中,很难使无效掺杂原子到处扔对急切的层的使下沉功能,那么节食去活化优质的;同时高浓度的掺杂原子进入晶硅,它还理由螺丝钉钻复合效应,节食硅片陈化。与此同时,低温处置发生的氢漏箱可能性是鉴于分裂和。归结来说,前进技术渠道在的成绩列举如下:1.采取低温处置技术是不可使无效的。,在此转换中,高到处扔率的掺杂原子进入急切的层,使下沉急切的层的完整性,复合缺陷和走漏传球的表格,节食在表面工作去活化胜利。2.居第二位的步。高浓度掺杂原子经过急切的复原进入水晶硅,它还理由螺丝钉钻复合效应,节食硅片陈化,冲击就职机能。三。低温使氢在氢中神速落落大方漏箱。,可能性发生硅膜分裂,急切的物布置的使下沉,节食去活化胜利;氢漏箱也可能性理由硅薄膜呈现新的缺陷。,举起带菌者复合;终极理由电池产额力衰退期。月的第四日章。低温退火、掺杂、到处扔和以此类推转换也轻易发生以此类推负面冲击。,比如,诱发二次缺陷的表格、使下沉以此类推效能层、节食硅片优质的、举起程序复杂的事物和以此类推成绩。5.长时间的低温退火需求额定的方法,举起产额周而复始,那么增进太阳能电池的产额成本。于是,在这一担任守队队员,迫切需求功绩一种无效的预备工作屯子的办法。,克制持续在技术的不可,电池产额力高。
关心技术工具的熟虑
专利品为T想要了一种高机能的预备工作办法。。专利品的第单独形势,本发现想要一种太阳能电池的预备工作办法。,该办法包含步调。:(1)想要硅片;(2)在硅片在表面工作表格单独消极的隧道层。,去活化隧道化层硅片复合基板;(3)经过特高频率等水合氢体加速器气相免职法(VHF-PECVD),去活化后硅源气和掺杂原子源气的免职,掺杂硅薄膜层的表格,掺杂硅薄膜;(4)使用掺杂硅薄膜预备工作太阳能电池。在另单独首选示例中,在步调(1)中,硅片的厚度为2-500 U。。在另单独首选示例中,在步调(1)中,硅片为n型硅片或p型硅片。。在另单独首选示例中,在步调(1)说得中肯硅片为n-型硅片,步调(3)说得中肯掺杂硅膜为n型硅膜。。在另单独首选示例中,在步调(1)说得中肯硅片为p-型硅片,步调(3)说得中肯掺杂硅膜是p型硅膜。。在另单独首选示例中,在步调(1)说得中肯硅片为n-型硅片,随着所述步调(3),在硅的最好者在表面工作免职n型硅薄膜,在居第二位的在表面工作免职P型硅薄膜。在另单独首选示例中,在步调(1)说得中肯硅片为p-型硅片,随着所述步调(3),在硅的最好者在表面工作免职n型硅薄膜,在居第二位的在表面工作免职P型硅薄膜。在另单独首选示例中,步调(2),消极的隧道层的填塞选自下沟。:急切的硅、使氮化硅、氮急切的硅、金刚砂,或其结成。在另单独首选示例中,步调(2),非敏捷的隧穿层是一种热处置急切的硅层。。在另单独首选示例中,在步调(2)中,消极的隧道地层厚度。在另单独首选示例中,所述步调(2),经过特高频率等水合氢体加速器气相免职法(VHF-PECVD)预备工作所述去活化隧穿陈层。在另单独首选示例中,在步调(3)中,掺杂硅薄膜层的填塞选自以下:氢化急切的硅、太阳电池、多晶体硅,或其结成。在另单独首选示例中,在所述步调(3)中,abov,掺杂硅薄膜层的厚度为10-1000毫微米。。在另单独首选示例中,步调(3)说得中肯免职发烧没有或值得的500 C,最适宜条件发烧为150-350。在另单独首选示例中,所述步调(3)特高频率等水合氢体加速器气相免职法(VHF-PECVD)采取的频率见识为40-110MHz。在另单独首选示例中,步调(3)中免职的掺杂硅薄膜的结晶速率,最适宜条件选择为50%-80%。在另单独首选示例中,所述步调(3),免职的掺杂硅薄膜选自以下组:n型硅薄膜、p型硅薄膜,或其结成。在另单独首选示例中,所述步调(3),免职的掺杂硅薄膜选自以下组:磷掺杂n型硅薄膜、硼掺杂p型硅薄膜,或其结成。在另单独首选示例中,所述步调(3),免职的掺杂硅薄膜选自以下组:磷掺杂n型硅薄膜、硼掺杂p型硅薄膜,或其结成。在另单独首选示例中,所述步调(3),免职承受的掺杂硅薄膜为n型硅薄膜,掺杂浓度为(>1×1020 cm-3,最适宜条件选择为(>3*1020 cm-3,最好是3 x 1020 cm-3到10 x 1020 cm-3。在另单独首选示例中,所述步调(3),所述的掺杂硅薄膜为磷掺杂n型硅薄膜,磷的掺杂浓度大于1×1020cm,最适宜条件选择为(>3*1020 cm-3,最好是3 x 1020 cm-3到10 x 1020 cm-3。在另单独首选示例中,所述步调(3),所述掺杂硅薄膜为p型硅薄膜,掺杂浓度为(>1 x1019cm-3,最适宜条件选择为(>3*1019 cm-3,最好是3 x 1019 cm-3到10 x 019 cm-3。在另单独首选示例中,所述步调(3),所述掺杂硅薄膜为硼掺杂p型硅薄膜,掺杂浓度为(>1 x1019cm-3,最适宜条件选择为(>3*1019 cm-3,最好是3 x 1019 cm-3到10 x 019 cm-3。在另单独首选示例中,所述步调(3),掺杂硅薄膜的上坡速率大于或值得的,最适宜条件选择为(>1nm/s。在另单独首选示例中本文档源自技高网

【技术辩护点】
1.一种太阳能电池的预备工作办法,其特点依赖,包含步调:(1)想要硅片;(2)在硅片在表面工作表格单独消极的隧道层。,去活化隧道化层和硅片复合基板;(3)特高频率浆加速器气相免职(VHF-PECVD),去活化后硅源气和掺杂原子源气的免职,掺杂硅薄膜层的表格,掺杂硅薄膜;(4)使用掺杂硅薄膜预备工作太阳能电池。

【技术特点总结】
1.一种太阳能电池的预备工作办法,其特点依赖,包含步调:(1)想要硅片;(2)在硅片在表面工作表格单独消极的隧道层。,去活化隧道化层硅片复合基板;(3)经过特高频率等水合氢体加速器气相免职法(VHF-PECVD),去活化后硅源气和掺杂原子源气的免职,掺杂硅薄膜层的表格,掺杂硅薄膜;(4)使用掺杂硅薄膜预备工作太阳能电池。2.居第二位的步。本文描写的办法,其特点依赖,在步调(1)中,硅片为n型硅片或p型硅片。。三。本文描写的办法,其特点依赖,步调(3)中免职的掺杂硅薄膜的结晶速率,最适宜条件选择为50%-80%。月的第四日章。本文描写的办法,其特点依赖,所述步调(3),所述特高频率等水合氢体加速器气相免职法(VHF-PECVD)采取的频率见识为40-110MHz。5.本文绍介的预备工作办法,其特点依赖,该办法还包含步调:在所述步调(2)举行前,开枪是在硅片的最好者在表面工作上预备工作的。

【专利品属性】
技术研究与开发行政工作的:廖明墩,曾玉恒,严宝洁,叶继春,王丹,高平奇,童慧,张志,全成,吴忠汉,
敷用药(专利权)人:中国科学院宁波填塞技术工程细想工作实验室,博威尔特太阳能科技有限公司,
典型:发现
举国上下省市:浙江,33

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